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Transcend創見

RAM

Transcend創見 2GB DDR2 800 200pin TS256MSQ64V8U

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‧產品特色

200Pin SO-DIMM DDR2-800 Unbuffer Non-ECC Memory,1.8V,CL6,TS256MSQ64V8U

		售價(含稅)	1,450
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DDR2-800 SO-DIMM

DDR2-800 Unbuffer Non-ECC Memory CL=6
創見筆電記憶體使用最高等級的原廠DRAM晶片製造，並通過嚴格的效能篩選，包括嚴苛的寬溫環境測試，展現其他品牌難以比擬的高度相容性與穩定度，適用於任何品牌與類型的筆記型電腦，在講求品質與效能的電腦系統內扮演關鍵角色。出廠前，所有元件皆須通過不同平台與作業系統版本的實機測試；每一支記憶體模組皆通過不同系統組態測試，包括主流主機板和熱門軟體等。

產品說明

創見資訊(Transcend)針對高階的電腦特性而設計，研發製造出512MB/1GB/2GB DDR2高速記憶體模組，適用於搭配高階晶片組的筆記型電腦。創見全系列DDR2記憶體模組皆遵從JEDEC（the Joint Electron Device Engineering Council）的規範，提供極致的效能表現。 DDR2記憶體是DDR記憶體技術新一代的革新。目前DDR2-533/667/800記憶體模組每秒最大頻寬可達10.6GB（雙通道模式下）；透過1.8伏特的低工作電壓可節省約50﹪的耗電量；先進的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封裝提供更佳的散熱性能和更好的電氣特性。DDR2記憶體使用ODT（On-Die Termination）技術可降低高速運作下記憶體信號的回授，進而提高記憶體時脈的極限值。DDR2記憶體現今最高可達單顆4 Gbit的容量，搭配上FBGA封裝方式，讓記憶體模組的容量極限更往上推升。創見512MB/1GB/2GB DDR2記憶體模組，採用原廠先進FBGA封裝技術所製造之64Mx8顆粒，搭配高可靠度的六層電路板，優越的設計造就了系統的高穩定性和高可靠度，創見512MB/1GB/2GB DDR2記憶體組是高階市場的最佳選擇。

產品特色